功率场效应管
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小，开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。 功率场效应管(MOSFET)与双极型功率相比具有如下特点： 1．场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单； 2．输入阻抗高，可达108Ω以上； 3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小； 4．有较优良的线性区，并且场效应管(MOSFET)的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作Hi-Fi音响； 5．功率场效应管(MOSFET)可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。 （1） 漏极击穿电压 BUD 是不使器件击穿 漏 漏极击穿电压 BUD 的极限参数，它大于漏极电压额定值。查看更多>>
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