EEPW
技术应用
V形槽金属氧化物半导体;垂直沟道绝缘栅型场效应管 V-notch MOS 为了适合大功率运行,于70年代末研制出了具有垂直沟道的绝缘栅型场效应管,即VMOS管。 VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效,功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W),驱动电流小(左右0。查看更多>>
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