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英飞凌CoolSiC碳化硅MOSFET获丰田bZ4X车型采用

  • 英飞凌宣布,其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用,旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 将应用于该车的车载充电器(OBC)与直流 - 直流转换器(DC/DC)中。对于欧洲电子工程新闻网的读者而言,这一消息清晰体现出碳化硅的应用正加速突破牵引逆变器领域,延伸至汽车核心的功率转换模块;同时也凸显出车企正愈发广泛地采用宽禁带半导体器件,以实现电动汽车快充提速、续航提升等可量化的性能优化。碳化硅深度融入丰田电动汽车功率电子系统据官方消息,丰田此次为 bZ4X 的车载充电器和直流 - 直
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  碳化硅  MOSFET  丰田  bZ4X  

英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列,提供超低导通电阻和新型封装

  • 【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列,旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装,产品组合覆盖在25°C情况下的典型导通电阻(RDS(on))值60 mΩ。CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热 Q-DPAK 封装,该封装可
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2,实现更高的功率密度

  • 简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势,通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平,同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准: AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。与 Si 替代品相比,SiC MOSFET 可以在许多应用中提供额外的性能,其中包括光伏逆变器、热量存储系统、电动汽车充电、电源、电机驱动、牵引逆变器、板载充电器、DC 对 DC 转换器等。碳化硅器件必备要素 —— 立足当下布局,引领未来市场丰富的 CoolSi
  • 关键字: 英飞凌   CoolSiC MOSFET 650V G2   功率转换  

英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列,推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

  • 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外,英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计,涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  MOSFET  

英飞凌推出采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

  • 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热(TSC)Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度,专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计,例如电动汽车充电机、光伏逆变器、不间断电源、电机驱动和固态断路器等。采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2这款CoolSiC 1200 V G2所采用的技术相较于上一代产品有显著的提升,可在导通电阻(
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  MOSFET  1200V  

英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2

  • 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合,在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ,广泛适用于车载充电器(OBC)、 DC-DC转换器、电动汽车(xEV)辅助设备等应用,以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源(SMPS)等工业应用。英飞
  • 关键字: 英飞凌  超低导通电阻  CoolSiC    

英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电

  • 近日,为推动下一代固态配电系统的发展,英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性,使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制,CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能,包括固态断路器(SSCB)、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。英飞凌科技零碳工业功率
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  JFET  固态配电  

CoolSiC™肖特基二极管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封装

  • CoolSiC™肖特基二极管10-80A 2000V G5系列现在也采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统中,该二极管可实现更高的效率和设计简化。此外,由于采用了.XT互联技术,它们还具有一流的散热性能。该二极管与配套的CoolSiC™ MOSFET 2000V产品完美匹配。产品型号:■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5产品特点■ 无
  • 关键字: 二极管  CoolSiC  

英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装,在提升效率的同时简化设计

  • 目前,许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展,实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列,这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装,其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为15
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  肖特基二极管  

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

  • 电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新,全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。这两个产品系列采用顶部和底部冷却并基于CoolSiC™ Generation 2(G2) 技术,其性能、可靠性和易用性均有显著提高。它们专门用于中高功率开关模式电源(SMPS)开发,包括AI服务器、可再生能源、充电桩、电动交通工
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  MOSFET  

第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离

  • 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。产品型号:■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 关键字: CoolSiC  MOSFET  

技术洞察 | 英飞凌CoolSiC™和CoolGaN™产品,升级电源和机架架构,满足AI服务器的需求

  • 前言人工智能(AI)的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示,英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升,预计到2030年将达到约2000W [1] ,而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和DC配电系统进行架构升级,重在减少从电网到核心设备的电力转换和配送过程中的功率损耗。图2(右)展示了开放计算项目(OCP)机架供电架构的示例。每个电源架由三相输入供电,可容纳多台PSU;每台PSU由单相输入供电。机架将直流电压(例如,50V)输
  • 关键字: 英飞凌  AI  CoolSiC  CoolGaN  

实现3.3KW高功率密度双向图腾柱PFC数字电源方案

  • 随着社会经济发展、能源结构变革,近几年全球对家用储能系统的需求量一直保持相当程度的增长。2023年,全球家用储能系统市场销售额达到了87.4亿美元,预计2029年将达到498.6亿美元,年复合增长率(CAGR)为33.68%(2023-2029);便携储能市场经过了一轮爆发式增长的狂欢后,现在也迎来了稳定增长期,从未来看,预计在2027年便携储能市场将达到900亿元;AI Server市场规模持续增长,带来了数字化、智能化服务器所需的高功率服务器电源的需求,现在单机3KW的Power也成为了标配。对于
  • 关键字: Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  双向图腾柱  PFC  数字电源  

贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

  • 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新篇章,适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合(AC-DC、DC-DC和DC-A
  • 关键字: 贸泽  英飞凌  CoolSiC G2  MOSFET  

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

  • 随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现,促使英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在,英飞凌基于今年早些时候发布的第二代(G2)CoolSiCTM技术,推出全新CoolSiC™ MOS
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC MOSFET  AI服务器电源  
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