电子产品世界

据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，三星电子与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND Flash的投资步伐。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高，且企业资金更多集中于DRAM和封装领域，导致对NAND的投资负担加重。

三星自2025年初开始，在韩国平泽的P1厂和西安NAND厂推进转换投资，主要将第6、7代NAND升级至第8、9代。这种转换投资相较于新建投资成本更低，且能部分利用现有设备，效率较高。然而，近期三星针对最先进NAND的转换投资速度有所放缓。例如，P1厂的第9代NAND转换投资已传出延后消息，原计划最快在2025年第二季度启动，但目前尚未落实。

西安厂的情况类似，第8代转换的X1产线已接近投资尾声，而第9代转换的X2产线仅计划在2025年第三季度进行每月5,000片规模的投资，这已接近存储器量产的最低门槛。业内人士透露，三星计划在2026年第一季度前，继续在X2产线量产旧时代的V6 NAND，因此第9代的转换预计要到2026年中期才会正式展开。

此外，三星在次世代NAND及新技术投资方面也保持谨慎态度。原计划在西安X2产线率先导入V9 NAND的混合键合技术，但近期已决定取消，并计划从400层以上的第10代NAND（V10）起正式导入。不过，V10的量产投资预计最快也要到2026年中期。

SK海力士同样将大部分资金集中于最先进的DRAM和高带宽存储器（HBM）领域。由于其在V10 NAND的开发进度落后于三星，短期内也难以期待新的投资。SK海力士在2025年第二季度财报会议中表示，NAND投资将依据下游需求情况，维持审慎步调，并以提升获利性为核心目标。