三星HBM3E熬18个月终获英伟达认证
南韩科技巨擘三星电子在高带宽记忆体（HBM）竞争赛道上落后于主要竞争对手SK海力士以及美光。 但据韩媒报道，如今总算有好消息传出！ 三星第5代12层高带宽内存HBM3E产品终于通过英伟达质量验证测试。 此一进展不仅象征三星在HBM技术上的突破，也可能改写其在高端存储器市场的竞争格局。
据韩媒《Business Korea》与《韩国经济日报》（The Korea Economic Daily）报导，三星从完成HBM3E 12层芯片的开发，历经多次英伟达性能测试失败，到最终通过认证，整整耗时18个月，成为继SK海力士与美光（Micron）之后，第3家获得认证的供应商。 虽然预期初期供货量有限，但此举具有高度象征意义，有助于消除外界对三星技术稳定性的质疑，尤其是针对散热问题的争议。
一位业内高层坦言，「对三星来说，供货英伟达与其说是为了营收，不如说是为了自尊。 获得英伟达的认可意味着其技术重回正轨“。
目前，三星已稳定向超微（AMD）与博通（Broadcom）供应HBM3E 12层芯片，但在英伟达品质测试方面曾面临长期挑战。 此次通过测试，意味着三星有望在下一代HBM4竞争中与对手并驾齐驱。
报道中提及，真正的竞争战场已经转移到第6代高带宽内存HBM4，并且预计将于明年在英伟达的新一代图形架构Vera Rubin中首次亮相。 英伟达已经要求供应商将HBM4的数据传输速度提升到每秒10 Gbps以上，远远高于目前业界标准的8 Gbps。 知情人士透露，三星已经展示了11 Gbps的传输速度，领先于SK海力士的10 Gbps，而美光要达到英伟达的要求，则显得较为困难。
随着HBM逐渐取代通用型DRAM成为存储器产业的新焦点，三星、美光与SK海力士三强之间的竞争将日益激烈。 若三星能在英伟达供应链中取得实质市占，将有助于推升整体业绩表现。
三星计划在本月向英伟达提供大量的HBM4样品，期望能够尽早获得验证。 今年4月，三星曾表示，正在与主要的AI芯片厂商，包括英伟达、博通与Google，洽谈供应客制化第6代内存HBM4的事宜。 三星透露，最快可望于2026年上半年开始为客户量产HBM4芯片。
《韩国经济日报》指出，为了追赶SK海力士，三星去年与其代工竞争对手台积电合作，共同开发HBM4。 目前三星在HBM的竞赛中，落后于SK海力士，后者是英伟达HBM最先进芯片的主要供应商。
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码
