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Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。

汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。 

利用率下降、产能过剩和投资减少的循环引发了行业参与者的担忧。尽管放缓，SiC仍是电气化路线图的核心，预计到2030年设备收入将接近100亿美元。

行业首个重大投资周期由2019-2024年资本支出热潮推动，造成了显著的上游产能过剩。

设备资本支出在2023年达到约30亿美元的峰值，导致上游硅碳价值链出现显著产能过剩。2025年，上游利用率降至约50%，设备处理约70%。

中国目前是该地区最大的资本支出份额。

预计这一下滑将持续到2027–2028年，届时8英寸生产平台和下一代沟槽和超结MOSFET将带来新的增长。

“SiC已进入必要的纠正阶段，”Yole的Taguhi Yeghoyan说。“事实上，经过五年的大规模投资，市场必须吸收产能，才能推动下一次扩张。”

许多新设备资本支出集中在中国大陆，政府的战略鼓励本地采购设备。 

截至2024年，中国企业已占据约40%的硅晶硅和外晶圆产能，并正迅速扩展器件制造领域。 

虽然设备生态系统尚未完全自给自足，但国内供应商在PVT和HTCVD工具领域取得了显著进展。

叶霍扬补充道：“中国在硅晶前端能力上迅速赶上，”本地厂商现在在硅晶体生长和外延技术上正面竞争，尽管国际企业在稀释、计量和先进离子植入方面仍保持领先地位。”

PVT（物理蒸汽传输）：已建立成熟生态系统，具备8英寸能力。由Naura领导的开放式私人设备市场预计将大幅收缩，随后稳定下来，2024年至2030年复合年增长率约为-11%。

外延（HTCVD）：欧洲运营商ASM International和AIXTRON领先，其次是NuFlare和TEL。中国厂商Naura、JSG和NASO科技正在积极扩张。

WFE工具：要求针对SiC进行特定适配，用于刻蚀、CMP、离子植入和检测。市场将在2030年前保持约-7%的复合年增长率，这得益于现有装机基础的升级。

烧机系统的过剩产能抵消了测试相关设备的整体增长，导致复合年增长率仅为3%。

尽管经济低迷，IDM仍持续在200毫米硅碳容量和先进MOSFET架构上进行战略投资，保持全球领先地位，同时中国国内生态系统逐渐增强。

Yole的Poshun Chiu表示：“经过一段加速扩张期，电力硅片行业正在重新校准，短期放缓掩盖了向200毫米产量、本地化供应链和新设备架构转型的长期转变，这些都将定义下一个增长周期。