SK海力士2026展望：HBM3E主导，HBM4双重策略在三大市场逆风中显现
随着整体内存价格飙升和HBM4的临近，2026年可能成为存储巨头的又一个里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）发布的新年致辞中指出，即使HBM4在提升产能，HBM3E今年仍将成为主导产品，预计其将在2026年占HBM总出货量的约三分之二，而HBM4则逐渐获得市场支持。
SK海力士强调，随着英伟达推出“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌和AWS等大型科技公司扩展基于ASIC的AI芯片内部开发，HBM3E正日益成为首选记忆。援引瑞银的言论，公司也表达了信心，有望成为谷歌最新TPU——v7p和v7e首家HBM3E的供应商。
HBM3E/HBM4 双重策略
SK海力士正采取双代化策略，在为HBM4做准备的同时，保持HBM3E的领先优势。据公司介绍，去年9月已获得全球首个HBM4量产系统，加强了与台积电的封装合作，建设了青州M15X晶圆厂，并建立了专门的HBM部门、全球人工智能研究中心及全球生产基础设施。公司指出，这些举措使SK海力士有望在2026年前大规模支持HBM3E和HBM4。
在SK海力士的规划中，其清州M15X晶圆厂发挥着尤为重要的作用。《商业韩国》称，公司计划于2026年5月完成M15X晶圆的首个洁净室建设，并开始试点运营。该工厂是投资超过20万亿韩元的重要生产中心，将生产HBM3E和HBM4。报道引用的消息还显示，10nm级第六代（1c）DRAM线路将用于即将推出的HBM4E。
2026年记忆市场面临三重挑战
值得注意的是，SK海力士强调了2026年的三大关键挑战。即使记忆超级周期仍在继续，人们对价格、供应和地缘政治风险的谨慎态度也在上升。公司表示，一些分析师和海外媒体警告称，随着竞争加剧和产能扩张，HBM价格可能在2026年后进入调整阶段。
这一趋势与TrendForce的最新研究一致，研究显示内存市场供应紧张导致传统DRAM价格近期大幅上涨。虽然HBM3E也因GPU和ASIC订单的上调而受益，推高了其价格，但据TrendForce报道，HBM3E与DDR5之间的ASP差距预计将在2026年持续显著缩小。
与此同时，SK海力士指出，HBM投资的增长正在整个内存市场产生积极的连锁反应。通过将资源投入HBM，标准DRAM的供需平衡正在收紧。公司引用的机构投资者预计，服务器DDR5模块将在2026年成为DRAM市场的第二大支柱，继HBM之后。SK海力士补充说，NAND闪存预计将在2026年增长，主要由AI数据中心的eSSD需求推动。
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