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三星正在加大对定制HBM逻辑芯片的开发力度。据ZDNet报道，消息人士称公司正在设计用于定制HBM的逻辑芯片，采用先进的代工工艺节点如2nm。报道补充说，三星电子此前已将4nm工艺应用于HBM4（第六代HBM）所用的逻辑芯片，该芯片将于今年进入商业生产。

报告解释说，随着 HBM 技术的进步，逻辑芯片的设计和制造方法也相应演进。自计划于2026年量产的HBM4起，逻辑芯片采用代工工艺制造，而非传统的DRAM工艺，体现了代工制造的性能和能效优势。

关于三星电子，报告称该公司采用了4纳米工艺制造HBM4逻辑芯片。这一策略被视为战略举措，旨在确保在性能优势中击败采用台积电12nm工艺的SK海力士。

定制 HBM 有望在 AI 应用中获得关注

报告指出，集成2nm逻辑芯片的定制HBM在超高性能AI加速器应用中预计将强劲。报告补充称，三星电子计划利用这些先进的逻辑芯片，积极针对包括英伟达、AMD、博通、亚马逊云服务和OpenAI在内的全球主要科技公司，推出其定制的HBM产品。

报告指出，定制 HBM 指的是一种将客户特定功能定制并集成到逻辑芯片中的方法。据称三星正在打造从4nm到2nm的产品线，以满足广泛的客户需求。

据报道，定制HBM的更广泛采用预计将从HBM4E（第七代HBM）开始，预计该车型将于2027年发布。报告补充称，三星电子不仅在推进逻辑芯片工艺技术，还在推进下一代封装，包括混合键合技术。

关键词： 三星 HBM