240亿美元，美光加码NAND产线
据报道，美光科技计划在新加坡兴建一座先进晶圆制造厂，未来 10 年投资额 240 亿美元，新厂最终将提供 70 万平方英尺的无尘室空间。美光表示，2028 年下半年投产晶圆，协助美光满足 AI 及数据密集应用快速发展下，市场对 NAND 闪存日益增长的需求。
美光科技新厂房位于其现有 NAND 闪存制造园区，周二举行新厂房奠基仪式，新加坡副总理兼贸易与工业部部长颜金勇、新加坡贸易与工业部常任秘书马宣仁、新加坡经济发展局局长黎佳明及裕廊集团 CEO 傅美晶出席。
美光科技全球运营执行副总裁 Manish Bhatia 表示，非常感谢新加坡政府，包括新加坡经济发展局和裕廊集团，这次投资凸显了美光对新加坡的长期承诺，新加坡是其全球制造网络的重要枢纽，有助于增强供应链韧性。
美光在新加坡本就拥有规模庞大的生产设施，公司 98% 的 NAND Flash 内存是在新加坡厂制造。另外美光正在新加坡建造耗资 70 亿美元的先进封装厂，也位于同一新加坡制造园区内，目前正按计划推进，预计 2027 年为美光的 HBM 供应作出贡献。随着 HBM 成为美光新加坡制造布局的一部分，该公司预计 NAND 闪存和 DRAM 生产之间将出现协同效应。美光将灵活调整新厂的产能提升速度，以适应市场需求。
美光公司称，对先进晶圆制造厂的投资将创造约 1,600 个工作机会，加上先前宣布的 HBM 先进封装工厂提供的 1400 个就业岗位，美光此次扩建将总共新增约 3000 个就业机会。这些岗位将专注于晶圆厂的工程和运营，整合 AI、先进机械人和智能制造技术，以提高效率和创新能力。
2026 年 1 月，美光接连发生了多个大动作。16 日，美光位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的巨型 DRAM 内存晶圆厂正式破土动工。据悉，该项目总投资规模达 1000 亿美元，规划兴建多达四座晶圆厂，建成后将成为美国最大的半导体制造基地，并为当地创造约 5 万个就业机会。该厂预计于 2030 年前后开始投产，并于未来十年逐步提升产能。美光指出，相关投资将有助于实现 40% DRAM 产品于美国本土生产的目标，并强化美国半导体供应链韧性。
1 月 17 日，美光与力积电签署独家战略合作意向书，美光将以 18 亿美元收购力积电位于苗栗县铜锣科学园区的 P5 晶圆厂。这笔交易将为美光提供一座面积约 2.8 万平方米的现成 12 英寸晶圆生产线洁净室。美光将在此部署 DRAM 内存生产线，预计从 2027H2 开始为美光 DRAM 晶圆产出带来有意义的贡献。此外，美光将和力积电建立 DRAM 先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹 P3 厂精进现有利基型 DRAM 制程技术。
TrendForce 表示，随着美光科技计划以 18 亿美元收购力积电在铜锣的厂房，双方将建立长期的 DRAM 先进封装代工关系，此次合作将有利于美光科技添加先进制程 DRAM 产能，并提升力积电的成熟制程 DRAM 供应，预估 2027 年全球 DRAM 产业供给将有上调空间。预估美光科技铜锣项目一期在 2027 年下半年可贡献的产能，将相当于美光科技 2026 年第四季度全球产能的 10% 以上。
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号：EEPW
或用微信扫描左侧二维码
