CPO成为新宠，长电科技与联电率先卡位
1月21日，长电科技（JCET）宣布其在共封装光学（Co-Packaged Optics, CPO）技术领域取得重大突破。
基于其XDFOI®多维异构先进封装平台开发的硅光引擎产品，已完成客户样品交付，并顺利通过客户端验证与测试。
随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）负载持续快速增长，系统对具备更高带宽、更低延迟和更优能效的光互连技术需求日益迫切。CPO通过先进封装技术，将光子器件与电子芯片在微系统级别集成，为下一代高性能计算系统提供了一条更紧凑、更节能的发展路径。
业界普遍认为，CPO将在“纵向扩展”（scale-up）和“横向扩展”（scale-out）两种网络架构中发挥关键作用，被视为下一代计算基础设施的基石技术。与此同时，随着硅光产业链各环节协同发展，CPO生态系统正逐步成型，覆盖从设计、制造、封装、测试到系统级验证的关键阶段。
值得注意的是，晶圆代工巨头联华电子（UMC）也在积极布局CPO技术，目标于2027年实现量产。
据报道，联电正对其成熟制程节点实施升级战略，明确瞄准CPO时代机遇。近年来，公司聚焦提升成熟制程附加值，将22/28纳米工艺导向更具竞争力的特色应用领域。市场消息指出，联电位于新加坡的Fab 12i第三期工厂在此战略中扮演核心角色。
该新厂以22/28纳米技术为核心，服务于通信、汽车、物联网及AI等多个市场，并进一步强化联电在CPO相关应用中的能力。消息人士透露，该厂的22纳米产线已具备支持硅光产品的成熟工艺基础。
针对市场关于进展的问询，联电官方确认：硅光技术确实是公司特色工艺路线图中的重点方向之一。业内进一步透露，光电集成模块的研发已同步展开，预计2026年启动风险试产，并于2027年实现大规模量产。
为加速商业化进程，联电采取了战略合作策略。公司近期宣布与全球顶尖半导体研发创新中心——比利时IMEC签署技术授权协议，引入其成熟的“iSiPP300”硅光工艺平台。
行业分析师指出，随着AI驱动的数据流量持续激增，传统铜互连在带宽和功耗方面的瓶颈日益凸显。CPO技术通过将光引擎与计算芯片共封装，大幅缩短电信号传输距离。
相比传统的可插拔光模块，CPO在降低功耗与延迟、减少对高功耗数字信号处理器（DSP）、以及显著提升带宽密度等方面优势明显，已成为满足下一代数据中心超大带宽需求的极具吸引力的解决方案。
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