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中国是否正在缩小与韩国存储巨头的技术差距？一位业内资深人士认为，实际差距可能比普遍认知的更大，甚至还在扩大。据《韩国先驱报》（The Korea Herald）报道，东亚大学下一代半导体教授沈大永（Shim Dae-yong）表示，中国存储厂商与韩国同行之间的技术鸿沟被严重低估，在他看来，差距并非两三年，而是已超过五年。

沈大永被公认为DRAM领域的资深专家，曾在SK海力士工作26年，主导核心DRAM技术研发，并在高带宽内存（HBM）的早期发展中发挥了关键作用。

核心瓶颈：EUV光刻机受限

沈大永指出，制约中国先进DRAM发展的根本性障碍在于无法获得极紫外光刻（EUV）。报道称，EUV设备已成为10纳米级（10nm-class）及更先进DRAM制程不可或缺的关键工具。

为说明背景，报道解释道，DRAM制程通常从1x、1y、1z节点（低于20纳米）逐步演进至1a、1b、1c等10纳米级节点。虽然通过多重 patterning（多图案化）技术可在一定程度上延用传统光刻设备（如美光在1a节点所做），但从1b节点开始，EUV实际上已变得不可或缺。

此外，报道指出，良率仍是中国企业的一大难关。要实现具备商业竞争力的成本结构，通常需要达到80%至90%的良率水平，而目前中国厂商在此方面仍面临挑战。

3D堆叠：转移压力，而非根本解方

沈大永表示，中国企业的替代路径是聚焦先进3D堆叠技术——在缺乏EUV的情况下，这或许是唯一可行的追赶手段。然而，他也强调，这种策略只是将技术瓶颈从光刻环节转移到了其他领域，尤其是关键材料与先进封装。

报道称，HBM所依赖的核心材料，如底部填充胶（underfill）和环氧模塑料（epoxy molding compounds），目前主要由日本企业（如Resonac和NAMICS）掌控。沈大永补充道，即便是三星电子和SK海力士，也花了多年时间才逐步实现这些关键材料的本土化供应。

协同开发经验难以复制

除EUV限制和材料依赖外，报道援引沈大永观点指出，中国存储厂商还缺乏韩国企业数十年积累的深度协同开发经验。韩国存储巨头长期与微软、谷歌、苹果、英伟达等全球科技龙头紧密合作，不仅提供产品，更深度参与新系统架构下的联合开发与验证流程。

沈大永强调，这种合作关系并非简单的采购关系，而是一种高度集成的技术生态协作。正如报道所言，这种能力无法在短期内复制或速成。

结语

综上所述，在EUV设备禁运、关键材料受制、先进封装能力不足以及生态系统协同经验欠缺等多重因素叠加下，中国存储产业与韩国领先企业的技术差距不仅未缩小，反而可能在未来进一步拉大。即便通过3D堆叠等“弯道超车”策略取得局部突破，整体追赶之路依然漫长而艰巨。

关键词： 存储

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