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英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I 系列器件在引脚上与现有的光耦仿真器和光耦合器兼容。

对于《eeNews Europe》的读者——尤其是从事工业与能源系统设计的工程师而言，这一产品意义重大：它提供了一条无需彻底重新设计控制板即可快速升级至更高效率SiC方案的路径。同时，这也凸显了当前栅极驱动器性能正不断演进，以匹配现代宽禁带（WBG）功率转换对开关速度与鲁棒性的严苛要求。

兼容SiC、IGBT与MOSFET的引脚兼容型隔离驱动器

EiceDRIVER 1ED301xMC12I 系列包含三个型号：1ED3010、1ED3011 和 1ED3012。英飞凌表示，这三款器件分别针对 硅基 MOSFET、IGBT 和碳化硅（SiC MOSFET）进行了优化，可覆盖广泛的功率转换拓扑结构。

新闻稿强调的核心信息是：工程师可在保留现有光耦输入架构的同时，将功率级升级为SiC技术。这一点在许多市场尤为关键——因为在这些领域，上市时间（time-to-market）往往比追求极致性能的颠覆性重构更具商业价值。

英飞凌将该系列产品定位于对栅极驱动器性能要求严苛的应用场景，包括：电机驱动、光伏逆变器、电动汽车充电桩以及储能系统等。

高CMTI与精准时序，确保可靠开关

英飞凌特别强调了该系列产品的电气性能优势。所有型号均可提供高达6.5A的输出电流，公司称此为驱动功率模块及并联开关配置领域的同类最佳水平。

其光耦仿真输入采用双引脚设计，具备出色的抗噪能力。据称，这些器件的共模瞬态抗扰度（CMTI）超过 300 kV/µs，传播延迟仅40纳秒，通道间时序匹配误差低于10纳秒，从而实现更精确、可重复的开关行为。此外，英飞凌还采用了“纯PMOS输出级”（pure PMOS sourcing stage）以提升开通性能。

封装方面，该系列IC采用CTI 600等级的6引脚DSO封装，爬电距离与电气间隙均超过8毫米。绝缘性能已通过UL 1577认证，并正在申请IEC 60747-17标准认证。

关键词： 英飞凌 IC SiC