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阿斯麦（ASML）宣布将极紫外光刻（EUV）设备的核心光源功率提升至1000 瓦，这一技术突破将直接推动先进制程芯片的生产良率提升，同时有效降低单颗芯片的制造成本，成为先进半导体制造领域的又一重要技术进展。

在极紫外光刻技术中，光源功率是决定光刻机生产效率与芯片良率的核心指标之一。更高的光源功率能够让光刻机在晶圆曝光过程中，实现更快的光刻速度与更稳定的图案转移效果：一方面，更高的功率可缩短单晶圆的曝光时间，提升光刻机的单位时间产能；另一方面，稳定的高功率光源能减少光刻过程中的图案偏差、线宽不均匀等问题，大幅提升芯片生产的良率，而良率的提升是降低先进制程芯片单位成本的关键因素。

此前，阿斯麦的新一代极紫外光刻机（如 High-NA EUV）主流光源功率多处于 600-800 瓦区间，此次突破至 1000 瓦，针对的是 3 纳米及以下先进逻辑芯片、高带宽存储芯片（HBM）等高端制程的量产需求。对于台积电、三星、英特尔等全球先进芯片制造企业而言，该技术升级将帮助其在先进制程量产中进一步优化生产效率，摊薄高额的设备与制造成本，同时为后续 2 纳米、1 纳米等更先进制程的研发与量产奠定光刻技术基础。

极紫外光刻是目前全球先进芯片制造的核心技术，阿斯麦作为全球唯一的 EUV 光刻机供应商，其技术迭代直接主导着先进半导体制程的发展节奏。此次光源功率的提升，也是阿斯麦针对行业对更高产能、更低成本、更先进制程的需求，做出的关键技术升级，将进一步巩固其在高端光刻设备领域的垄断地位，同时推动全球先进半导体制造产业的持续发展。

关键词： 阿斯麦 极紫外光刻机 光源功率 芯片良率 ASML EUV

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