海力士推出超性能版LPDDR6内存：较LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%
海力士宣布成功研发首款 LPDDR6 动态随机存取存储器，超性能版LPDDR6内存较LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率达 10.7Gbps，基于 10nm 工艺打造。LPDDR6 内存架构一旦落地于 SOCAMM 模组，或将成为数据中心市场的一大助力。这家存储芯片厂商同时透露，此款 LPDDR6 内存基于其 2024 年发布的领先 10nm 级（1c）工艺节点打造。
新款 LPDDR6 内存芯片基础运行速率超 10.7Gbps，远超目前市场上性能最强的在售 LPDDR5X 内存模组，单芯片容量达 16Gb。为优化功耗表现，海力士采用了全新的子通道架构，并搭载动态电压频率调节技术（DVFS），官方称相较上一代 LPDDR 内存产品，功耗降低超 20%。其中，子通道架构仅为正在工作的数据通路供电，以此实现功耗削减；动态电压频率调节技术则会在内存负载较低时，降低时钟频率与电压。
去年 7 月固态技术协会（JEDEC）正式敲定并发布 LPDDR6 标准，时隔 8 个月，海力士便推出了自家的 LPDDR6 产品。不过海力士并非首家研发出 LPDDR6 的厂商，三星此前已发布首款 LPDDR6 产品，并在 2026 年国际消费电子展（CES）上进行了展示，其产品速率同样可达 10.7Gbps。
海力士已确认，这款基于 1c 工艺的 LPDDR6 内存将率先应用于智能手机和平板电脑领域，同时该产品也有望为数据中心市场带来重大利好。LPDDR 系列内存早已在搭载 SOCAMM/SOCAMM2 内存模组的人工智能服务器中得到广泛应用，这类模组仅支持 LPDDR 内存。例如，英伟达的 GB300 格雷斯・布莱克韦尔超级芯片便采用了 SOCAMM 模组，而英伟达最新的 Vera Rubin 超级芯片则搭载了 SOCAMM2 内存模组。海力士去年底曾表示，预计英伟达继 Vera Rubin 之后推出的人工智能芯片，也将采用 LPDDR6 内存。
此次发布只是 LPDDR6 发展的开端，随着存储厂商不断优化和改进 LPDDR6 设计，远超 10.7Gbps 的运行速率或将成为行业常态。固态技术协会（JEDEC）认为，LPDDR6 的最高数据传输速率有望达到 14400MT/s，这一数值远超目前 DDR5 内存的最高超频纪录。
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