全球首座 6 英寸磷化铟光子芯片工业晶圆厂正式动工

EDA/PCB 时间:2026-03-18来源:
磷化铟(InP)作为一种至关重要的 III-V 族化合物半导体,凭借其适宜的禁带宽度、超高的光电转换效率以及优异的导热性能,已被广泛应用于光通信、量子点电视、航天光伏等前沿科技领域。

近期,磷化铟产业迎来重大发展节点:全球首座专注于 6 英寸磷化铟光子芯片的工业晶圆厂在欧洲正式动工。与此同时,中国《2026 年政府工作报告》明确提出发展包括 6G 在内的未来产业,在下一代通信技术发展的浪潮下,进一步强化了市场对磷化铟材料的发展预期。

投资超 1.5 亿欧元:欧洲 6 英寸磷化铟晶圆厂开工建设

这座被誉为 “全球首个” 的 6 英寸(150 毫米)磷化铟光子芯片工业晶圆厂于近日在荷兰埃因霍温动工,该厂将专业生产 6 英寸光子晶圆 —— 即薄型圆形衬底。基于此类晶圆制造的芯片将利用光信号而非传统电信号进行数据处理与传输,这标志着信息处理技术迎来重大变革。

该项目汇聚了欧洲顶尖的产业界与科研机构力量,由荷兰应用科学研究组织(TNO)、埃因霍温理工大学、光子三角洲(PhotonDelta)、智能光子学公司(SMART Photonics)以及埃因霍温高科技园区联合支持建设。工厂总投资逾 1.5 亿欧元,同时获得《欧洲芯片法案》的直接资金扶持。

根据项目规划路线图,该晶圆厂预计将于 2028 年全面投产,届时年产能有望达到 1 万片晶圆、1 亿颗光子芯片,此举或将大幅加速光子集成电路的商业化进程。

6G 发展浪潮提振磷化铟前景,全球企业加大布局力度

除欧洲的大手笔投资外,宏观政策导向与下一代通信技术的迭代升级,正不断凸显磷化铟的战略重要性。

中国《2026 年政府工作报告》明确提出,将为新兴产业建立长期资金支持与风险分担机制,并重点扶持未来能源、量子科技、具身智能、脑机接口、6G 等领域发展。

6G 被公认为继 5G 之后的新一代全球通信标准,有望成为万物互联时代的 “引擎” 与数字经济时代的核心基础设施。未来的 6G 网络峰值传输速率有望达到太比特每秒级别,空口时延低至 0.1 毫秒,连接密度可达每平方公里数千万台设备。通过天地海一体化融合组网,6G 技术将实现从深海到外太空的全域无缝通信。

在庞大的 6G 产业生态中,砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化铟(InP)等化合物半导体材料,以及太赫兹射频器件将成为上游产业链的核心技术基石。

其中,磷化铟凭借其卓越的高频性能、超高速运行能力和高效的光电转换特性脱颖而出,成为太赫兹通信、光电集成、卫星通信、量子科技等下一代技术的核心材料,而这些领域也将从 6G 技术的发展中迎来重大发展机遇。

磷化铟巨大的市场潜力引发了全球范围内的激烈竞争。目前,全球磷化铟产业主要集中在日本、美国和中国三大区域,国际头部企业凭借数十年的技术积累,仍保持着行业技术领先地位。

日本住友电工是全球磷化铟衬底市场的龙头企业,该公司采用垂直布里其曼(VB)晶体生长法,可稳定供应 2 至 6 英寸的高品质衬底产品,广泛应用于光通信和射频器件领域,并与全球主流光模块厂商保持着紧密的合作关系。美国 AXT 公司、法国 InPact 公司等企业也在全球磷化铟产业生态中占据重要地位。

国内企业方面,云南锗业、有研新材、三安光电、陕西铟杰半导体等企业正积极推动磷化铟技术的国产化进程,加速完善国内产业链布局。

关键词: 磷化铟 光子芯片 工业晶圆厂

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