英特尔推出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒
4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。
该芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化镓晶圆制造，采用英特尔自研隐切减薄工艺，在实现极致超薄形态的同时，保持结构完整性与性能稳定性。
更具突破性的是，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。通过将复杂计算功能直接嵌入电源芯粒，无需额外辅助芯片，大幅简化系统架构并降低组件间能量损耗。
性能测试结果显示：
氮化镓晶体管耐压达 78V，射频截止频率超 300GHz，可满足高频通信应用需求；
集成数字逻辑库运行稳定，反相器开关速度快至33 皮秒，全晶圆性能一致性优异，具备大规模量产潜力；
该技术已通过四项行业标准可靠性测试，可在高温、高压环境下稳定工作，满足商用部署要求。
传统硅基技术在高功率、高频场景下已逼近物理极限，而氮化镓作为宽禁带半导体，具备更高功率密度、更快开关速度、更低能耗等优势。
英特尔依托 300 毫米硅基氮化镓晶圆工艺，方案可兼容现有半导体制造基础设施，有望显著降低生产成本、加速大规模普及。
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