Microchip BZPACK 碳化硅功率模块可应对 HV‑H3TRB 严苛环境
Microchip 正式推出 BZPACK mSiC 碳化硅功率模块，该系列产品专为满足高湿、高电压、高温反向偏置（HV‑H3TRB） 标准而设计,可应对 HV‑H3TRB 严苛环境.
功率变换拓扑
产品支持多种拓扑结构，包括半桥、全桥、三相桥以及 PIM/CIB 拓扑配置。
Microchip 强调，为满足 HV‑H3TRB 可靠性要求，该模块可稳定工作超过 3000 小时，远超 1000 小时的行业标准。
应用场景
模块面向工业与可再生能源领域部署，典型应用包括：可再生能源系统、工业电源、重型交通、航空航天及国防装备。
BZPACK mSiC 核心特性
采用相比漏电起痕指数（CTI）600V封装外壳
全温范围内导通电阻 Rds(on) 性能稳定
可选用氧化铝（Al₂O₃） 或氮化铝（AlN） 基板，实现最优散热性能
官方评述
Microchip 大功率解决方案事业部副总裁 Clayton Pillion 表示：
“BZPACK mSiC 功率模块的推出，进一步彰显了 Microchip 致力于为最严苛的功率变换环境提供高可靠性、高性能解决方案的承诺。”
目前，BZPACK mSiC 功率模块已实现量产供货。
关键词： Microchip BZPACK 碳化硅 功率模块 HV‑H3TRB
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