记忆巨头在供应紧张中绘制2025-26年度退出策略
随着内存供应紧张，行业正将重点转向面向超大规模企业的高利润率、前沿产品。传承、面向消费者的记忆正逐渐走向生命周期末期，2026年将成为关键参与者的分水岭之年。以下是三星、SK海力士和美光如何逐步退出传统内存市场，转向英伟达和谷歌等大型科技巨头的一瞥。
三星：告别DDR4和2D MLC NAND了
尽管市场传闻显示内存领导者可能会因价格飙升推迟DDR4的退出，TrendForce指出三星仍坚定地坚持其终止生命周期计划。因此，DDR4 供应预计在2026年大幅下降，推动每吉比特价格创历史新高。
与此同时，公司正在逐步摆脱传统的NAND产品。包括The Elec在内的韩国媒体在2025年中期报道，三星计划停止MLC NAND闪存的生产。TrendForce指出，三星——曾经最大的供应商——将逐步淘汰MLC NAND产品，预计最终出货时间为2026年6月。
尽管包括柯西亚、韩国海力士和美光等主要企业也限制了MLC产量以满足现有客户需求，趋势力量预测全球MLC NAND闪存容量预计2026年同比下降41.7%。
据 gameGPU 报道，MLC NAND 生产通常被认为经济上不可行，需求缩小到专业细分市场。因此，报告指出，LG Display等公司已经在寻找用于OLED面板的MLC替代品，市场正向TLC和QLC转变。
SK海力士：DDR4输出，消费级内存完好无损
与三星类似，SK海力士也表示计划在2026年前淘汰DDR4。然而，《美一财经报》在2025年9月指出，随着DDR4价格反弹，两家公司进行了策略调整，SK海力士暂时提升了其中国无锡工厂的产量，该厂配备了大量传统生产线。
最近，ETnews本月报道称，SK海力士已完成无锡晶圆厂的重大升级，将设施从1z工艺过渡到更先进的1a节点。报告补充称，该厂目前每月生产约18万至19万片12英寸晶圆，约90%的产能运行于1a。此举凸显了SK海力士长期战略，即摒弃DDR4等传统DRAM产品，重新聚焦于更先进的内存节点。
另一方面，尽管近期市场传闻称SK海力士可能退出消费记忆领域，Wccftech报道称公司发言人驳斥了这些猜测，强调业务依然完整。
美光：缩减消费内存及中国业务
在前三大存储器公司中，美光在消费级存储器市场中表现最为保守，宣布在2025年下半年退出多项业务。
据《南华早报》报道，公司在八月在中国发起新一轮裁员，裁员数百人，作为全球从陷入困境的移动NAND领域撤退的一部分。报告引用的一位公司代表补充称，美光将因该细分市场财务表现疲软，停止全球新移动NAND产品的开发。
据中国ESM称，此次调整主要影响其国内嵌入式团队以及中国的研发、测试和FAE/AE支持职能。
路透社报道，美光随后在2023年禁令中断其产品进入关键基础设施并阻碍恢复后，于十月退出中国服务器芯片市场。不过，报道显示，公司将继续向两家中国客户提供大陆以外的大型数据中心，包括笔记本电脑制造商联想。
最新的打击发生在去年12月，美光宣布退出消费级记忆市场，关闭其Crucial品牌，专注于快速增长市场中最大的战略客户供应。正如Tom's Hardware报道，此举是在公司于2026年2月底结束的财年第二季度之后，标志着生产和投资正向企业级DRAM和SSD转变，以满足日益增长的AI需求。
2026年是一个分水岭，记忆制造商显然更重视盈利而非广度。向企业级、以人工智能为核心的产品转变将重新定义竞争格局——使消费和工业部门不得不应对供应紧张和成本上升。
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