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存储巨头在NAND容量扩展上谨慎行事，逐步淘汰MLC（多级单元）等老产品，同时加倍投入先进技术。值得一提的是，在2025年12月旧金山IEDM大会上，SK海力士发布了其尖端的5位NAND闪存，声称其读取速度比传统PLC（五级单元）快达20×，Blocks & Files报道。

据报道，SK海力士的多点小区（MSC）NAND技术将每个3D NAND小区一分为二，提升每个小区的数据容量，同时将电压状态数量减少约三分之二。

Blocks & Files指出，这一突破展示了SK海力士自2022年起开发的4D 2.0技术。这项创新解决了NAND的一个重大瓶颈——传统单元在四位（QLC）之外遇到“电压状态障碍”。报告补充称，通过重新设计比特存储方式，SK海力士现在可以在不牺牲速度和耐久性的情况下，每个单元容纳五比特。

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报告解释说，增加更多电压状态——即存储单元可承受的电压水平以表示数据——会使它们更紧密地分布，缩小感应余距，使它们更难准确区分。简单来说，在电池中装入更多比特会加速电池磨损，降低可靠性和耐久性。

报告指出，目前QLC 3D NAND闪存已进入量产阶段，但由于读取可靠性低和寿命较短，五层级单元（PLC）技术尚未商业化。不过，报告显示PLC极具吸引力，因为它可以将NAND芯片的容量和SSD存储容量提升多达25%，相比现有的QLC芯片。

因此，SK海力士试图通过将NAND单元拆分为两个独立的“站点”，每个站点电压状态较少，并合并这两个站点的值以存储更多位来解决瓶颈。

正如报告所述，在SK海力士的框架下，每个半电池（或称“站点”）有六个电压状态。报告指出，通过合并这两个站点，整个系统产生了36种可能的电压状态，足以编码PLC闪存所需的32种状态，其中4个状态未被使用，这使得SK海力士能够在保持可靠性的同时，每单元存储5位。

关键词： NAND SK海力士

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