电子产品世界

三星用于人工智能加速器的 HBM3 与 HBM3E 芯片此前均存在性能问题。为获得英伟达的认证许可，三星去年不得不对其 HBM3E 芯片进行重新设计。即便如此，这些经过改版的 HBM3E 芯片也仅用于英伟达在中国市场销售的部分特定人工智能加速器产品中。而如今三星的市场地位得到显著巩固，其研发的 HBM4 芯片据悉已接近通过英伟达的认证。

三星 HBM4 芯片即将完成英伟达的认证流程，预计于 2026 年 2 月启动量产。该款芯片已于 2025 年 9 月送交英伟达，目前已进入最终的质量验证阶段。一旦量产启动，三星不仅将向英伟达供应 HBM4 芯片，还计划为 AMD、谷歌等其他人工智能加速器企业提供该产品。

HBM 即高带宽内存，这是一种高性能存储技术，通过将多颗动态随机存取存储器芯片垂直堆叠而成。相较于手机、电脑、服务器等电子设备中常用的传统双倍数据率内存或低功耗双倍数据率内存，它能实现远超前者的带宽与传输速度。不过，高带宽内存芯片的制造工艺极为复杂，且生产成本高昂。

尽管数十年来三星一直是全球最大的存储芯片制造商，但该公司早期并未重视高带宽内存领域的研发。这一决策使得 SK 海力士、美光等竞争对手得以抢占高带宽内存市场的领先地位。等到三星在第四代（HBM3）和第五代（HBM3E）高带宽内存时代加大研发投入时，已在该领域处于明显落后地位。

此后，三星全力推进第六代高带宽内存（即 HBM4 芯片）的研发工作。有相关报道称，三星这款 HBM4 芯片的性能优于 SK 海力士与美光推出的同类存储芯片。该芯片预计将搭载于英伟达将于今年推出的新一代旗舰级人工智能处理器 Rubin 之上。

关键词： ​三星 人工智能 HBM 英伟达

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