卷翻内存市场 中国存储厂商加速扩张产能
全球存储器市场爆发缺货潮，NAND闪存大厂长江存储传出以「史无前例」的速度扩张产能，原定于2027年量产的武汉新厂已大幅提前，最快将在今（2026）年下半年正式投产。 此举是否对台厂旺宏、南亚科、群联等带来竞争压力，后续发展备受市场关注。
长江存储祭弯道超车奇招
朝鲜日报英文版《The Chosun Daily》报道，长江存储武汉三厂于2025年9月动工，原先预估须待2027年才具备正式量产条件。 然而，当地半导体业界人士透露，长江存储近期已密集下达NAND Flash生产设备采购订单，并同步进行工厂启动与产线建置作业，量产时程有望提前至2026年下半年。
消息人士指出，从破土动工到启动量产仅约一年时间，在半导体产业中相当罕见，显示长江存储采取「边建厂、边导入设备」的加速策略，在厂房尚未完全完工前，即先行进行产线调校与初期运作。
270层堆叠技术直逼三星、海力士
长江存储加速扩产，正值NAND Flash市场迎来超级循环周期。 不同于DRAM领域，NAND闪存供应商众多，包括三星、SK海力士、美光、日本铠侠（Kioxia）以及长江存储本身。 尽管AI浪潮带动了庞大的需求，但竞争者林立，也让价格战风险升温，迫使业者必须以速度换取市场空间。
在技术面上，长江存储的进展同样受到关注。 近期分析指出，该公司已掌握270层3D NAND技术，正快速缩小与三星286层及SK海力士321层之间的差距，且在长期投资与延揽外部专家的加持下，生产良率与稳定性已接近一线大厂水平。 即便仍遭美国商务部列入制裁名单、先进设备进口受限，长江存储仍于去年9月启动武汉三期建设，展现持续扩张NAND市占的企图心。
市占率冲刺13%逼近美光
大陆业界人士指出，随着三星子与SK海力士将发展重心转移至DRAM与高带宽记忆体（HBM），长江存储把握2026年这个「黄金时刻」，积极扩张NAND闪存的布局。 在技术突破及政府强力支持下，预期未来一至两年，长江存储在全球NAND市场的影响力将明显提升。
据Counterpoint Research统计，以NAND出货量为基准，长江存储的全球市占率在2025年第三季已攀升至13%，年增4个百分点，水平已逼近全球第四大NAND厂美光科技。
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