如何走出DRAM短缺困境？
如今科技领域似乎一切都围绕AI展开，而事实也的确如此。在计算机内存市场，这一点体现得尤为明显。为AI数据中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求极其旺盛、利润空间巨大，导致原本用于其他领域的内存产能被分流，价格也随之暴涨。据Counterpoint Research数据，本季度截至目前，DRAM价格已上涨80%～90%。
电子行业为何会陷入这一困境？当前局面是DRAM行业周期性繁荣与衰退叠加前所未有的AI硬件基础设施建设浪潮共同导致的结果。
供需剧烈波动的核心
要理解这一事件的来龙去脉，就必须认识到造成供需剧烈波动的核心 —— 高带宽内存（HBM）。HBM是DRAM行业借助3D芯片封装技术，试图突破摩尔定律放缓趋势的产物。这项技术复杂的芯片会被安置在距离GPU或其他AI加速器约1毫米的范围内，并通过多达2048个微米级接口相连。
内存带宽是限制大语言模型运行速度的关键因素。HBM芯片通常部署在处理器两侧，与GPU封装为一个整体，而与GPU如此紧密、高密度互联的设计初衷，是为了打破内存墙。所谓内存墙，指的是运行大语言模型所需的每秒TB级数据在传入GPU时，在能耗与延迟上存在的瓶颈。
据Data Center Map统计，目前全球有近2000座新建数据中心处于规划或建设中。若全部建成，将在当前约9000座的全球总量基础上提升20%。迄今为止，AI数据中心热潮最大的赢家无疑是GPU厂商英伟达，其数据中心业务营收从2019年第四季度的仅约10亿美元，飙升至2025年10月结束季度的510亿美元。
在此期间，GPU不仅对DRAM容量需求持续攀升，对DRAM芯片数量的要求也越来越高。英伟达最新推出的B300芯片使用8颗HBM芯片，每颗均由12层DRAM裸芯片堆叠而成。
SemiAnalysis估算，HBM的成本通常是其他类型内存的三倍，占封装后GPU总成本的50%及以上。在旺盛需求下，DRAM厂商营收中来自HBM的占比持续提升。在SK海力士、三星之后排名第三的美光表示，HBM及其他云端相关内存占其DRAM总营收的比例从2023年的17%升至2025年的近50%。
更重要的是，该如何走出困局？解决DRAM供应问题有两条路径：技术创新或新建晶圆厂。
DRAM未来供应与技术走向
随着DRAM制程微缩愈发困难，行业转向先进封装，而这本质上是使用更多DRAM芯片。英特尔首席执行官陈立武在思科AI峰会上表示：“2028年之前，DRAM供应紧张局面难以缓解。”
美光、三星、SK海力士占据了内存与存储市场绝大部分份额，三家均在推进新厂建设，但这些产能很难对平抑价格起到显著作用。新建一座晶圆厂成本高达150亿美元甚至更高，厂商对扩产极为谨慎，而一座工厂从建设到投产需要18个月甚至更久。
· 美光正在新加坡建设一座HBM晶圆厂，计划2027年投产；同时，改造从台湾力积电收购的厂房将于2027年下半年量产；另外，美光上月在美国纽约州奥农达加县动工建设DRAM晶圆厂园区，2030年才能全面投产。
· 三星计划2028年在韩国平泽新厂区投产。
· SK海力士在美国印第安纳州西拉法叶市建设HBM与封装厂，预计2028年底投产；在韩国清州建设的HBM工厂将于2027年完工。
由于新增产能数年之内无法形成有效供给，缓解供应压力还需要依靠其他因素。新建工厂会带来边际改善，但更快的提升来自工艺经验积累、更高效率的DRAM堆叠技术，以及内存供应商与AI芯片设计企业之间更紧密的协同。与此同时，多项在研技术可能让HBM对硅片的消耗进一步增加。
那么，新厂投产后价格会回落吗？答案或许是否定的。总体而言，经济学家发现价格上涨快、下跌慢且不情愿。如今的DRAM市场也不太可能例外，尤其是在算力需求近乎无限的背景下。除非AI行业出现重大崩盘，否则新增产能与新技术需要数年时间才能让供需重新回归平衡。即便到那时，内存价格也可能依然居高不下。
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