消息称三星已解决 SOCAMM2 翘曲问题，量产进度有望领先美光、SK 海力士
据报道，三星已攻克其 SOCAMM2 设计中的一项关键技术难题。据 ETNews 援引消息人士透露，该公司已解决翘曲（warpage）问题 —— 这是下一代 AI 服务器内存模组 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量产前的主要障碍。报道称，三星通过应用自研下一代低温焊料（LTS）技术解决了该问题。
报道指出，翘曲是指元器件在制造过程中因受热而产生的轻微弯曲，主要由不同材料之间热膨胀系数（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 结构尤为敏感，因为它将 LPDDR5X 芯片组装成模组并通过螺栓压紧固定，大幅增加了连接失效的风险。
为解决这一问题，三星将焊接工艺温度从 260℃ 以上降至 150℃ 以下。通过大幅降低峰值温度，有效减小了热膨胀系数不匹配带来的影响。
SOCAMM2 是一款重要的低功耗内存模组，将与 HBM 配合用于英伟达下一代 AI 平台 Vera Rubin。报道补充称，三星通过在 SOCAMM2 上应用低温焊料（LTS），在研发与量产进度上被认为获得了相对于竞争对手的优势。
除温控外，三星还推出多项设计改良：将芯片配置从双塔结构改为单塔结构以提升机械刚性；优化环氧塑封料（EMC）的厚度与热膨胀特性；并采用高精度仿真模型提升翘曲预测精度。
三星、SK 海力士、美光 SOCAMM2 竞争白热化
AI 半导体市场的竞争正迅速蔓延至 SOCAMM2 领域。《中央日报》称，三星电子正巩固其业内首家量产 192GB SOCAMM2 的地位。报道援引分析师估算，三星对英伟达的供应量有望达到约 100 亿 GB，占总需求的 50% 左右。凭借 10nm 级第五代（1b）工艺实现的良率与性能稳定，三星预计将在供应份额上领跑。
据 TheElec 消息，SK 海力士正加速在今年转向第六代（1c）DRAM，此举有望支撑其包括 SOCAMM2 在内的 AI 内存产品阵容扩张。与此同时，《中央日报》报道，美光已于 3 月初送出全球首款 256GB SOCAMM2 客户样片，容量较三星、SK 海力士的 192GB 旗舰产品提升约 33%。
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