电子产品世界

正当三星电子加速其泰勒工厂 2 纳米工艺量产步伐之际，SK 海力士同步加大在美国的先进封装布局。据《韩国经济先驱报》报道，SK 海力士已正式破土动工，建设其在美国的首座半导体工厂 —— 印第安纳州晶圆厂，这距离该公司 2024 年公布投资计划约两年，成为重要里程碑。

工厂规划

• 投产时间：2028 年下半年全面投产

• 核心产品：下一代 AI 存储芯片，主打HBM（高带宽内存）

• 主力型号：HBM4E（第七代）、HBM5（第八代）

建设进度

SK 海力士于 4 月 17 日告知当地社区，已启动地基打桩作业，为主体建筑施工做准备。打桩作业预计持续数月，最早2026 年下半年进入主体结构施工阶段。

投资规模

• 美国印第安纳州：投资约38.7 亿美元（约 5.2 万亿韩元），打造 AI 存储专用先进封装基地

• 韩国本土清州：投资约19 万亿韩元，建设新一代先进封装厂（P&T7），预计2027 年底完工，以应对 HBM 需求激增

DRAM 产能同步扩张

1. 清州 M15X 厂：第四阶段洁净室于 3 月启用后，将启动设备安装

2. 龙仁半导体集群首座晶圆厂：洁净室预计2027 年 2 月完工，进一步提升整体产能

先进设备投入

据《韩国先驱报》报道，SK 海力士计划在关键产线部署约20 台ASML 极紫外（EUV）光刻设备，强化下一代 DRAM 制造工艺竞争力。

关键词： SK海力士 先进封装厂

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