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据报道，英伟达正在为其 2027 年的生产开发自己的 HBM 基板，内存巨头的基板制造从 DRAM 转移到晶圆厂工艺的焦点。据韩国的 Digital Daily 报道，美光可能采取了最谨慎的做法，由于成本问题，将推迟到 HBM4e 才转移到晶圆厂。

报道解释说，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工艺制造的，因为 DRAM 制造商自己设计了逻辑，并在自己的 DRAM 线上生产。然而，平面 DRAM 工艺在速度、信号完整性和能效方面落后于晶圆厂的 FinFET 技术，促使内存制造商进行转换，正如 Digital Daily 所述。

因此，Digital Daily 注意到三星和 SK 海力士正将基板晶圆生产转移到代工厂工艺，从 HBM4 开始，以应对高性能计算中的散热、信号延迟和电源效率问题。相比之下，美光计划继续通过 DRAM 工艺生产基板晶圆至 HBM4，仅在 HBM4e 时才转向台积电代工厂，报道补充道。

虽然这一转变可能反映了美光的短期效率关注和成本节约，但 Digital Daily 警告说，随着转向代工厂工艺成为必然，该公司面临落后的风险。

报道中引用的分析师指出，三星和 SK 海力士正在积极采用代工厂工艺，因为来自 NVIDIA 和 AMD 等关键 GPU 客户的需求已经超出了传统 DRAM 工艺的性能。美光的立场最终可能会削弱其在竞争性能驱动型客户（如 NVIDIA）时的地位，报道指出。

代工厂转变给基板晶圆生产成本带来压力

另一方面，《商业邮报》关注到 SK 海力士和美光将不得不依赖台积电的高端晶圆代工服务来生产基板。先进节点的成本高昂可能会将他们的 HBM 价格推高到三星之上，而三星则有望从其内部生产能力中获益潜在的成本优势。

根据《商业邮报》援引行业消息人士称，台积电生产的逻辑芯片可能占 SK 海力士总 HBM4 生产成本的 20%。

关键词： 英伟达 HBM3 内存

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