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在全球AI浪潮高涨与绿色能源转型加速的双重驱动下，氮化镓（GaN）产业正步入关键的黄金增长期。根据TrendForce研究，全球GaN功率器件市场预计将从2024年的3.9亿美元快速增长至2030年的35.1亿美元，年复合增长率（CAGR）高达44%。

在此高速扩张背景下，领先晶圆代工厂的战略调整正在重塑GaN产业链格局。尽管台积电（TSMC）正逐步退出GaN代工服务，但已通过技术授权协议，将其深厚的技术积累转移给合作伙伴——世界先进（VIS）与格芯（GlobalFoundries, GF）。此举不仅推动产业分工更加精细化，也为数据中心、电动汽车及人形机器人等下一代应用注入了全新动能。

世界先进获台积电授权，打造全方位GaN代工平台

2026年1月28日，世界先进正式宣布与台积电签署技术授权协议，获得其650V高压与80V低压GaN制程技术。双方合作的开发工作预计于2026年初启动，并计划于2028年上半年实现量产。

通过将硅基氮化镓（GaN-on-Si）工艺拓展至高压应用，并与其现有的QST衬底GaN平台（GaN-on-QST）整合，世界先进将成为全球唯一同时提供两种不同衬底平台GaN制造服务的代工厂。

这一战略布局使其能够覆盖从200V以下低压、650V高压到1200V超高压的全电压段应用，精准满足数据中心、车用电子、工业控制及能源管理系统对高能效的严苛要求。此外，公司计划在其成熟的8英寸晶圆平台上验证这些工艺，以确保制程稳定性与高良率。

台积电战略转向：聚焦AI，赋能伙伴发展GaN

作为全球最大的专业晶圆代工厂，台积电已于2025年7月宣布将逐步退出GaN代工服务，并计划于2027年7月31日全面终止相关业务。

这一决策源于资源的战略性再分配：相比GaN代工业务，AI芯片在晶圆用量、营收贡献和利润率方面均显著更高；而GaN生产规模仍相对较小，尚未达到台积电的回报预期。

然而，台积电的退出并不意味着放弃GaN技术。相反，其多年积累的核心技术正通过授权方式向外输出，以支持整个产业生态的发展。

除世界先进外，格芯（GF）也于2025年11月与台积电签署类似授权协议，涵盖650V与80V GaN技术。依托台积电的技术支持，格芯旨在强化其在数据中心、工业系统及车用电子等关键功率应用领域的布局，加速推动新一代高效率功率半导体的普及。

展望：GaN迈向爆发临界点

凭借高电子迁移率、高击穿电场强度和优异的热导率等材料优势，GaN正快速从消费类快充领域拓展至更严苛的工业与前沿科技场景，包括数据中心、新能源汽车及人形机器人。

尽管当前市场规模尚未达到“巨量”级别，但业界普遍认为GaN已站在爆发拐点之上。在AI、电动汽车与机器人三大引擎的共同驱动下，GaN技术有望迎来规模化突破，展现出巨大的长期增长潜力。